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由於上游晶片廠持續將產能移轉生產3D NAND,導致2D架構NAND Flash產出量下滑,因此今年5月以來NAND Flash價格持續走高,不過8月以來因為價格漲高後開始壓抑終端需求,因此NAND Flash缺貨壓力已獲紓解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業者的擴產計畫來看,3D NAND產能將在明年大量開出,明年將是3D NAND殺戮戰場。
業界認為,智慧型手機的搭載容量已上看256GB,固態硬碟主流容量也上看512GB,加上資料中心開始採用NAND Flash儲存陣列,NAND Flash市場的確仍有很大的成長空間,只是3D NAND明年產能大量開出後,終端市場要大量去化如此龐大的新產能,並不是件太容易的事,所以明年NAND Flash價格下滑風險已然大增。
今年NAND Flash製程持續往10奈米進行微縮,但因物理極限問題已出現發展瓶頸,因此,NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND,但也因產能出現排擠,NAND Flash產出量明顯減少,而3D NAND產出又十分有限。在製程及產品線世代交替的青黃不接情況下,正好遇到智慧型手機及固態硬碟(SSD)備貨旺季,NAND Flash因此出現缺貨問題,5月以來價格持續走高。
據模組業者指出,美系品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價已漲到2.8~2.9美元,128Gb MLC規格NAND Flash現貨價亦漲到3.8美元以上,臺中市神岡區身份證借錢 5月以來平均漲幅介於8~14%。不過,由於NAND Flash漲價,帶動eMMC/eMCP、記憶卡等終端價格大漲,8月以來價格漲高後已開始壓抑終端需求,因此NAND Flash價格近期小幅走軟,業界認為,供不應求壓力已陸續獲得紓解。
在3D NAND的發展上,三星及東芝的進度最快,已經推出64層堆疊的3D NAND晶片,容量上看256~512Gb,而且在同樣產線上,位元出貨量可較NAND Flash成長3成左右。嘉義市西區二胎 雖然3D NAND有助於NAND晶片廠成本下降,但是在所有NAND廠全數投入情況下,業界對明年3D NAND看法保守,價格戰已難以避免,明年將是3D NAND殺戮戰場。
至今年底為止,各家記憶體廠的3D NAND生產線將陸續進入量產,包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠等。
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